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IT之家 4 月 23 日消息,消息韩媒 The称S存基础裸 Elec 在报道中表示,预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的力士管家婆正版图片大全基础裸片(Base Die)部分采用台积电 7nm 制程。
IT之家注:目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体 ,望采因此韩媒的用台白小姐一肖一码三中三表达更适合作为“7nm 系”制程理解 。
HBM 内存的积电管家婆三期必开一码一肖基础裸片是 DRAM 堆叠的底座,同时也作为控制器负责同处理器进行通信 。制程
SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录 ,消息双方的称S存基础裸首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善 。
SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片;而在 HBM4 中,力士台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工,望采以实现更丰富的用台功能和更加优异的功效,有助于满足客户对定制化 HBM 的积电需求 。
SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产。制程
咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The消息 Elec 的看法,其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。