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消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程
  来源:香港二四六开奖资料大全  更新时间:2024-05-13 06:37:28

IT之家 4 月 23 日消息 ,消息韩媒 The称S存基础裸 Elec 在报道中表示 ,预测 SK 海力士将在 HBM4 内存的力士2024年澳门资料大全正版基础裸片(Base Die)部分采用台积电 7nm 制程 。

IT之家注 :目前台积电 7nm 系产能大部分已迁移至 6nm 变体,望采因此韩媒的用台开奖结果双色球表达更适合作为“7nm 系”制程理解。

消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

HBM 内存的积电2024今晚澳门开奖结果87期基础裸片是 DRAM 堆叠的底座,同时也作为控制器负责同处理器进行通信 。制程

消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

SK 海力士上周同台积电签署了 HBM 内存合作谅解备忘录,消息双方的称S存基础裸首个合作重点就是 HBM 基础逻辑芯片的性能改善。

消息称SK海力士HBM4内存基础裸片有望采用台积电7nm制程

SK 海力士此前在 HBM 产品中采用存储半导体工艺制造基础裸片;而在 HBM4 中,力士台积电将采用先进逻辑工艺为 SK 海力士代工 ,望采以实现更丰富的用台功能和更加优异的功效,有助于满足客户对定制化 HBM 的积电需求。

SK 海力士目标到 2026 年实现 HBM4 内存投产 。制程

咨询机构 TrendForce 集邦咨询持有不同于 The消息 Elec 的看法,其在去年 11 月认为 HBM4 的基础裸片将基于 12nm 工艺。


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